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    跟着新能源汽车、5G通讯等财产快速成长，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体需求连续爬升。然而，SiC质料硬度极高，传统机械切割方式如金刚石线锯与刀轮切割遍及面对崩边年夜、刀具磨损快、切割速率慢（常低在1妹妹/s）等问题，致使质料使用率低、良率受损；即即是激光烧蚀切割，也存于热影响区年夜、熔渣多等缺陷。这些技能瓶颈严峻制约了SiC器件产能与成本节制，行业亟需更高精度、更低毁伤的切割新工艺。

01激光改质切割

激光改质切割技能应运而生其焦点道理是经由过程超短脉冲激光（飞秒 / 皮秒级）精准聚焦在晶圆内部，形成匀称漫衍的微裂纹改质层，再经由过程机械劈裂使晶圆沿预定路径切确分散，全程无需穿透外貌。与传统激光烧蚀差别，该工艺经由过程 内部改质 + 界面布局直写 同步完成加工，可有用防止外貌毁伤与熔渣残留，同时年夜幅缩减切割道宽度，成为SiC晶圆周详切割的首选技能路径。

02UW激光晶圆改质切割装备

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联赢激光全资子公司 江苏联赢半导体技能有限公司自立研发的激光晶圆改质切割装备，恰是基在这一进步前辈道理，专为硅基晶圆、碳化硅（SiC）晶圆、蓝宝石衬底（LED范畴）、太阳能光伏晶片等半导体质料设计，以 内部改质 + 机械劈裂 的立异性工艺，重构SiC晶圆周详切割技能路径。其非接触式加工特征防止了传统切割致使的崩边、微裂纹及污染问题，尤其合用在对于周详度及良率要求极高的第三代半导体与新能源范畴，从泉源上解决了传统工艺的焦点缺陷：

具有主动广角轮廓校订与多CCD辨认功效，可兼容破损片切割；运动平台平面度节制于 4 m，联合主动对于焦体系，切深偏差 3 m，实现2000片晶圆切割位置误差 3 m的不变精度

切割道宽度比拟传统刀轮切割缩减50%以上，晋升了晶圆使用率；干式加工工艺无需冷却液及后续洗濯，节省耗材与维护成本

合用在硅基、SiC、蓝宝石、光伏片等多种进步前辈质料，撑持4英寸至12英寸晶圆的周详切割需求

装备加工效果示例

加工放年夜效果图

断面放年夜效果图

UW激光晶圆改质切割装备能有用防止传统机械切割易呈现的崩边、微裂纹等问题，晋升芯片良率与出产效率，助力客户冲破产能瓶颈，晋升市场竞争力。其不仅是对于传统加工方式的工艺改造，更为第三代半导体财产的范围化、高质量成长提供了坚实的设备支撑。

从新能源汽车电驱功率模块到5G通讯射频器件，从工业电源到高端电子装备，联赢半导体始终以 高精度、高效率、高兼容性、低成本 为焦点上风，致力在研发制造半导体封装与测试环节要害装备，今朝已经形成包括IGBT贴片机、多头贴片机、预烧结贴片机、VI检测机、晶圆裂片机和光模块焊接事情台等于内的半导体封装和检测解决方案产物矩阵。

于第三代半导体财产蓬勃成长的时代机缘下，江苏联赢半导体将连续聚焦半导体周详加工范畴的技能研发与立异，及行业伙伴联袂配合开拓半导体财产新将来！

转自：联赢激光

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